Datasheet > IXFN180N20

IXFN180N20

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
2页	75K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFN180N20 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.56
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	180 A
最大漏极电流 (ID)：	180 A	最大漏源导通电阻：	0.01 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	700 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	720 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFN180N20 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Single Die MOSFET

IXFN 180N20

V_DSS= 200 V

I_D25= 180 A

R_DS(on)= 10 mW

< 250 ns

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

200

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C, Chip capability

180

100

I_L(RMS)

Terminalcurrentlimit

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

720

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

E_AR

T_C= 25°C

E_AS

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

P_D

T_C= 25°C

700

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

• Internationalstandardpackages

• miniBLOC, withAluminiumnitride

isolation

T_JM

T_stg

-55 ... +150

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

• Low package inductance

• Fast intrinsic Rectifier

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

1.5/13 Nm/lb.in.

Weight

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

200

V_GH(th)

• Temperatureandlightingcontrols

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

100 mA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms,

duty cycle d £ 2 %

10 mW

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98551B(7/00)

1 - 2

中文翻译

下载PDF

IXFN180N20 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN44N60	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN55N50	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFET
IXTN36N50	IXYS	类似代替	N-Channel Enhancement Mode

与IXFN180N20相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN180N25T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFN180N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFN185N10	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 100V V(BR)DSS \| 185A I(D)
IXFN200N06	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN200N07	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN200N07	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN200N10P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFN200N10P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN20N120	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN20N120P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET

与IXFN180N20相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFN180N20

IXFN180N20 技术参数

IXFN180N20 数据手册

IXFN180N20 替代型号

与IXFN180N20相关器件

与IXFN180N20相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFN180N20

IXFN180N20 技术参数

IXFN180N20 数据手册

IXFN180N20 替代型号

与IXFN180N20相关器件

与IXFN180N20相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？