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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | MINIBLOC-4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 4.53 |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 164 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 164 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0129 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 900 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 500 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Nickel (Ni) | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN185N10 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 185A I(D) |
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| IXFN200N06 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFN200N07 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFN200N07 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN200N10P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN200N10P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN20N120 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFN20N120P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFN20N120P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN210N20P | IXYS |
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Polar HiPerFET |
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