IXFN21N100Q

更新时间： 2024-02-27 18:26:15

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	132K
描述
HiPerFET TM Power MOSFETs Q-Class

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IXFN21N100Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	21 A	最大漏极电流 (ID)：	21 A
最大漏源导通电阻：	0.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	520 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFN21N100Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 1000 V

I_D2521 A

IXFN 21N100Q

Q-Class

Single MOSFET Die

R_DS(on)= 0.50 Ω

t ≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

miniBLOC,SOT-227B(IXFN)

E153432

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

Features

2.5

• IXYS advanced low Q_gprocess

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

• Lowgatechargeandcapacitances

- easier to drive

-fasterswitching

P_D

T_C= 25°C

520

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

T_J

-55 to +150

150

°C

T_JM

T_stg

V_ISOL

• Low R_{DS (on)}

• Fastintrinsicdiode

• Internationalstandardpackage

• miniBLOC withAluminiumnitride

isolationforlowthermalresistance

• Lowterminalinductance(<10nH)and

straycapacitancetoheatsink(<35pf)

• Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammabilityclassification

-55 to +150

50/60 Hz, RMS t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

I_ISOL≤ 1 mA

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

1.5/13

Nm/lb.in.

Weight

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• DC-DC converters

• Batterychargers

min.

typ.

max.

• Switched-modeandresonant-mode

power supplies

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5 mA

1000

2.5

V_GS(th)

4.5

• DC choppers

• Temperatureandlightingcontrols

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

100

µA

Advantages

T_J= 125°C

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

0.50

Ω

98762A (12/01)

12 3 4

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IXFN21N100Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK21N100Q	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK21N100F	IXYS	功能相似	HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFN24N100	IXYS	功能相似	HiPerRF Power MOSFETs

与IXFN21N100Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN220N20X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN22N120	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN230N10	IXYS	获取价格	Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN230N10	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN230N10_08	IXYS	获取价格	Power MOSFET Single Die MOSFET
IXFN230N20T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFN230N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFN23N100	IXYS	获取价格	HiPerFET-TM Power MOSFET
IXFN240N15T2	IXYS	获取价格	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFN240N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

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