是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.73 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 2500 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 1000 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 21 A | 最大漏极电流 (ID): | 21 A |
最大漏源导通电阻: | 0.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 520 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 84 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Nickel (Ni) |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXFK21N100Q | IXYS |
功能相似 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS | |
IXFK21N100F | IXYS |
功能相似 |
HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching | |
IXFN24N100 | IXYS |
功能相似 |
HiPerRF Power MOSFETs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFN220N20X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFN22N120 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFN230N10 | IXYS |
获取价格 |
Power MOSFETs Single Die MOSFET | |
IXFN230N10 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN230N10_08 | IXYS |
获取价格 |
Power MOSFET Single Die MOSFET | |
IXFN230N20T | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS Power MOSFET | |
IXFN230N20T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFN23N100 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET-TM Power MOSFET | |
IXFN240N15T2 | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFN240N15T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 |