IXFK21N100Q

更新时间： 2024-01-24 09:35:19

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS

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IXFK21N100Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.45	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	21 A	最大漏极电流 (ID)：	21 A
最大漏源导通电阻：	0.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXFK21N100Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-CLASS

IXFK 21N100Q

IXFX 21N100Q

V_DSS= 1000 V

I_D2521 A

R_DS(on)= 0.50 Ω

t_rr≤ 250 ns

Single MOSFET Die

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, LowQg,

High dV/dt, Low t_rr

PLUS247^TM(IXFX)

(TAB)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

1000

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

TO-264AA(IXFK)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

T^C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T^C_C= 25°C

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

E_AR

E_AS

= 25°C

2.5

T^C_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

• IXYS advanced low Q process

• Low gate charge and^gcapacitances

- easier to drive

P_D

T_J

T_C= 25°C

500

-55 ... +150

°C

- faster switching

• International standard packages

• Low R

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

• Rated^Df^So⁽r^onu⁾nclamped Inductive load

switching (UIS) rated

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

• Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

M_d

Mounting torque

TO-264

0.4/6

Nm/lb.in.

Weight

PLUS 247

TO-264

Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode power

supplies

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• DC choppers

min. typ.

max.

• AC motor control

• Temperature and lighting controls

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1mA

1000

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 20 V, V_DS= 0

5.5

100

Advantages

• PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

• Space savings

• High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

100

µA

T_J= 125°C

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

0.50

Ω

N^Go^Ste 1

DS98677D(10/03)

12 3 4

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IXFK21N100Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN21N100Q	IXYS	功能相似	HiPerFET TM Power MOSFETs Q-Class
IXFK21N100F	IXYS	类似代替	HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFN24N100	IXYS	功能相似	HiPerRF Power MOSFETs

与IXFK21N100Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK220N15P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiperFET
IXFK220N15P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK220N17T2	IXYS	获取价格	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFK220N17T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFK220N20X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK220N20X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK230N20T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK230N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK240N15T2	IXYS	获取价格	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFK240N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

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