IXFK21N100Q

更新时间： 2024-11-21 04:22:47

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
4页	602K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFK21N100Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	21 A
最大漏极电流 (ID)：	21 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK21N100Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-CLASS

IXFK 21N100Q

IXFX 21N100Q

V_DSS= 1000 V

I_D2521 A

R_DS(on)= 0.50 Ω

t_rr≤ 250 ns

Single MOSFET Die

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, LowQg,

High dV/dt, Low t_rr

PLUS247^TM(IXFX)

(TAB)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

1000

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

TO-264AA(IXFK)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

T^C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T^C_C= 25°C

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

E_AR

E_AS

= 25°C

2.5

T^C_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

• IXYS advanced low Q process

• Low gate charge and^gcapacitances

- easier to drive

P_D

T_J

T_C= 25°C

500

-55 ... +150

°C

- faster switching

• International standard packages

• Low R

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

• Rated^Df^So⁽r^onu⁾nclamped Inductive load

switching (UIS) rated

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

• Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

M_d

Mounting torque

TO-264

0.4/6

Nm/lb.in.

Weight

PLUS 247

TO-264

Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode power

supplies

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• DC choppers

min. typ.

max.

• AC motor control

• Temperature and lighting controls

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1mA

1000

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 20 V, V_DS= 0

5.5

100

Advantages

• PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

• Space savings

• High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

100

µA

T_J= 125°C

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

0.50

Ω

N^Go^Ste 1

DS98677D(10/03)

12 3 4

中文翻译

下载PDF

IXFK21N100Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK21N100F	IXYS	类似代替	HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFN21N100Q	IXYS	功能相似	HiPerFET TM Power MOSFETs Q-Class
IXFN24N100	IXYS	功能相似	HiPerRF Power MOSFETs

与IXFK21N100Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK220N15P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiperFET
IXFK220N15P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK220N17T2	IXYS	获取价格	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFK220N17T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFK220N20X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK220N20X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK230N20T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK230N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK240N15T2	IXYS	获取价格	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFK240N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

与IXFK21N100Q相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

30
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

22
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

51
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

49

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK21N100Q

IXFK21N100Q 技术参数

IXFK21N100Q 数据手册

IXFK21N100Q 替代型号

与IXFK21N100Q相关器件

与IXFK21N100Q相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK21N100Q

IXFK21N100Q 技术参数

IXFK21N100Q 数据手册

IXFK21N100Q 替代型号

与IXFK21N100Q相关器件

与IXFK21N100Q相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？