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IXFK220N15P

更新时间： 2024-11-19 14:56:55

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFK220N15P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	220 A	最大漏极电流 (ID)：	220 A
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	600 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK220N15P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiperFET^TM

V_DSS= 150V

I_D25= 220A

R_DS(on)≤ 9mΩ

IXFK220N15P

IXFX220N15P

t_rr

≤ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-264 (IXFK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

150

V_DGR

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

PLUS247 (IXFX)

I_D25

T_C= 25°C (Chip Capability)

220

I_LRMS

I_DM

Leads Current Limit, RMS

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

160

600

I_A

T_C= 25°C

Tab

E_AS

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

1250

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Features

Avalanche Rated

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)and Q_G

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

Advantages

Weight

TO-264

PLUS247

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC Choppers

AC and DC Motor Drives

Uninterrupted Power Supplies

High Speed Power Switching

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

150

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

4.5

±200 nA

I_DSS

50 μA

1.5 mA

T_J= 150°C

Applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

9 mΩ

DS100017A(01/11)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK220N17T2	IXYS	获取价格	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFK220N17T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFK220N20X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK220N20X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK230N20T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK230N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK240N15T2	IXYS	获取价格	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFK240N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
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