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IXFK220N17T2

更新时间： 2024-02-13 12:39:30

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲 PC 局域网
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GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

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IXFK220N17T2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.28
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXFK220N17T2 数据手册

Advance Technical Information

GigaMOS^TMTrenchT2

HiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 170V

I_D25= 220A

R_DS(on)≤ 6.3mΩ

IXFK220N17T2

IXFX220N17T2

t_rr

≤ 140ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXFK)

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

170

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (Chip Capability)

External Lead Current Limit

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

220

160

550

I_A

E_AS

T_C= 25°C

110

Tab

P_D

T_C= 25°C

1250

G = Gate

= Drain

dv/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

V/ns

S = Source

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Features

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Diode

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zAvalanche Rated

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

Low R_DS(on)

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

170

Synchronous Recification

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

2.5

5.0

± 200 nA

25 μA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

T_J= 150°C

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 60A, Note 1

5.1

6.3 mΩ

DS100230(01/10)

12 3 4 5 6

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IXFX210N17T	IXYS	功能相似	GigaMOS Power MOSFET
IXFK210N17T	IXYS	类似代替	GigaMOS Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK220N20X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK220N20X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK230N20T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK230N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK240N15T2	IXYS	获取价格	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFK240N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFK240N25X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK240N25X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK24N100	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs
IXFK24N100	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:

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