5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXFK24N100F
IXFK24N100F PDF预览

IXFK24N100F

更新时间： 2024-02-25 07:30:05
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 101K
描述
HiPerRF Power MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXFK24N100F 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-264AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.52Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：3000 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：1000 V最大漏极电流 (ID)：24 A
最大漏源导通电阻：0.0039 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-264AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：96 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXFK24N100F 数据手册

 浏览型号IXFK24N100F的Datasheet PDF文件第2页 
Advance Technical Information  
HiPerRFTM  
Power MOSFETs  
F-Class: MegaHertz Switching  
IXFX 24N100F VDSS = 1000 V  
IXFK 24N100F ID25 24 A  
=
RDS(on) = 0.39 Ω  
N-ChannelEnhancementMode  
Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg  
High dV/dt, Low trr  
t ≤ 250 ns  
rr  
PLUS247TM
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
T
T
= 25°C to 150°C  
= 25°C to 150°C; R = 1 MΩ  
1000  
1000  
V
V
(TAB)  
J
J
G
D
GS  
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
TO-264AA(IXFK)  
ID25  
IDM  
IAR  
T
= 25°C  
24  
96  
24  
A
A
A
C
T
= 25°C, pulse width limited by T  
= 25°C  
C
JM  
G
T
C
D
S
(TAB)  
EAR  
EAS  
T
= 25°C  
= 25°C  
60  
3.0  
mJ  
J
C
T
C
G = Gate  
D = Drain  
S = Source  
TAB = Drain  
dv/dt  
I
≤ I , di/dt ≤ 100 A/µs, V ≤ V  
10  
V/ns  
S
DM  
DD  
DSS  
T
≤ 150°C, R = 2 Ω  
J
G
Features  
PD  
TJ  
T
= 25°C  
560  
W
C
l
RF capable MOSFETs  
-55 ... +150  
°C  
l
l
l
l
Double metal process for low gate  
resistance  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
TJM  
Tstg  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
TL  
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
Fast intrinsic rectifier  
Md  
Mounting torque  
TO-264  
0.4/6 Nm/lb.in.  
Weight  
PLUS 247  
TO-264  
6
10  
g
g
Applications  
l
DC-DC converters  
Symbol  
VDSS  
TestConditions  
Characteristic Values  
(T = 25°C, unless otherwise specified)  
l
Switched-mode and resonant-mode  
power supplies, >500kHz switching  
J
min. typ. max.  
l
DC choppers  
VGS = 0 V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 8mA  
1000  
3.0  
V
l
Pulsegeneration  
l
Laser drivers  
VGS(th)  
IGSS  
5.5 V  
V
= ±20 V, V = 0  
±200 nA  
GS  
DS  
Advantages  
IDSS  
V
V
= V  
= 0 V  
T = 25°C  
100 µA  
3 mA  
DS  
DSS  
J
l
TM  
PLUS 247 package for clip or spring  
T
= 125°C  
GS  
J
mounting  
RDS(on)  
V
Note 1  
= 10 V, I = 0.5 I  
0.39  
Ω
l
l
GS  
D
D25  
Space savings  
High power density  
98874 (1/02)  
© 2002 IXYS All rights reserved  
12

中文翻译

下载PDF

与IXFK24N100F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFK24N100Q3 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1000V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFK24N120Q2 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFK24N80P IXYS

获取价格

 		PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFK24N80P LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 优点: 应用:
IXFK24N90Q IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK250N10P IXYS

获取价格

 		Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFK250N10P LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 优点: 应用:
IXFK25N80 IXYS

获取价格

 		HiPerFETTM Power MOSFETs
IXFK25N90 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs
IXFK260N17T IXYS

获取价格

 		GigaMOS Power MOSFET

与IXFK24N100F相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证