是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-264AA | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.75 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 2500 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 900 V |
最大漏极电流 (ID): | 24 A | 最大漏源导通电阻: | 0.45 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-264AA |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 96 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXFK26N90 | IXYS |
类似代替 |
HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFX24N90Q | IXYS |
类似代替 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS | |
STW21N90K5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 900 V, 0.25 Ω typ., 18.5 A Zener-p |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFK250N10P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET | |
IXFK250N10P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFK25N80 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs | |
IXFK25N90 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFK260N17T | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS Power MOSFET | |
IXFK26N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFK26N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFK26N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFK26N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFK26N60Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |