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IXFK32N100Q3

更新时间： 2024-09-27 12:20:15

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5页	132K
描述
HiperFET Power MOSFETs Q3-Class

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IXFK32N100Q3 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	PLASTIC, TO-264, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	7.6
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	32 A
最大漏极电流 (ID)：	32 A	最大漏源导通电阻：	0.32 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	96 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK32N100Q3 数据手册

Advance Technical Information

HiperFET^TM

Power MOSFETs

Q3-Class

V_DSS= 1000V

I_D25= 32A

IXFK32N100Q3

IXFX32N100Q3

R_DS(on)≤ 320mΩ

t_rr

≤ 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Rectifier

TO-264 (IXFK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1000

V_DGR

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

E_AS

Tab

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

1250

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Low Intrinsic Gate Resistance

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)and Q_G

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

3.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode

6.5

±200 nA

Power Supplies

DC Choppers

Temperature and Lighting Controls

I_DSS

50 μA

2 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

320 mΩ

DS100300(02/11)

12 3 4 5

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IXFK32N100Q3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK32N90P	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFK32N100P	IXYS	类似代替	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFX32N90P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与IXFK32N100Q3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK32N100X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK32N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFK32N50Q_04	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFK32N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET
IXFK32N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFK32N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK32N80Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 800V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFK32N80Q3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK32N90P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFK32N90P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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