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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-264 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 8.56 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 34 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 34 A | 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-264 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 560 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 136 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| APT8024LFLLG | MICROSEMI |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 800V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| APT8020LLLG | MICROSEMI |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 800V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| APT44F80L | MICROSEMI |
功能相似 |
N-Channel FREDFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFK35N50 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK35N50S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-264VAR |
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| IXFK360N10T | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET |
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| IXFK360N10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
|
| IXFK360N15T2 | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
|
| IXFK36N60 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFK36N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFK36N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFK36N60Q | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IXFK38N80Q2 | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R |
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