IXFK44N50Q

更新时间： 2024-11-20 11:14:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS

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IXFK44N50Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	44 A
最大漏源导通电阻：	0.12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	176 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK44N50Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-CLASS

V_DSSI_D25

R_DS(on)

IXFK/IXFX 48N50Q 500 V 48 A 100 mΩ

IXFK/IXFX 44N50Q 500 V 44 A 120 mΩ

t_rr≤ 250 ns

Single MOSFET Die

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, LowQg

High dV/dt, Low t_rr

PLUS247^TM(IXFX)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

(TAB)

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

500

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

TO-264AA(IXFK)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

44N50

48N50

44N50

48N50

176

192

(TAB)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

E_AR

E_AS

= 25°C

2.5

T^C_C= 25°C

Features

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

IXYS advanced low Q_gprocess

Low gate charge and capacitances

- easier to drive

P_D

T_C= 25°C

500

- faster switching

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

International standard packages

Low R_{DS (on)}

Rated for unclamped Inductive load

switching (UIS) rated

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque

TO-264

0.4/6

Nm/lb.in.

Weight

PLUS 247

TO-264

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

DC choppers

AC motor control

Temperature and lighting controls

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250uA

500

2.0

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

4.0 V

I_GSS

V_GS= 20 V, V_DS= 0

100 nA

Advantages

PLUS 247^TMpackage for clip or spring

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

100 µA

2 mA

mounting

Space savings

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

44N50

48N50

120 mΩ

100 mΩ

High power density

DS98612D(08/03)

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK44N50S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 44A I(D) \| TO-264VAR
IXFK44N55Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK44N5Q	IXYS	获取价格	Transistor
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