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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 129K |  |
| 描述 | ||
| Power Field-Effect Transistor, | ||
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-264AA |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 3.65 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 48 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 48 A | 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-264AA |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1000 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFK50N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFK50N85X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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| IXFK520N075T2 | IXYS |
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TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET |
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| IXFK520N075T2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFK52N100X | LITTELFUSE |
获取价格 |
采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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| IXFK52N30 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-264AA |
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| IXFK52N30Q | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacita |
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| IXFK52N30Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFK52N60Q2 | IXYS |
获取价格 |
Advanced Technical Information |
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| IXFK52N60Q2_08 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class |
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