IXFK64N60P

更新时间： 2024-11-18 12:31:19

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IXYS		晶体二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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5页	175K
描述
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

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IXFK64N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.43
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	64 A	最大漏源导通电阻：	0.096 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK64N60P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFK 64N60P

IXFX 64N60P

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

≤

600 V

64 A

96 mΩ

200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-264 (IXFK)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

600

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

150

I_AR

T_C=25° C

PLUS247 (IXFX)

E_AR

E_AS

T_C=25° C

3.5

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 2 Ω

V/ns

T_C=25° C

1040

(TAB)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

= Drain

S = Source Tab = Drain

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

° C

F_C

Mounting force (PLUS247)

Mounting torque (TO-264)

20..120/4.5..25

N/lb

Features

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

International standard packages

Fast recovery diode

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Weight

TO-264

PLUS247

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ.

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

600

Advantages

3.0

5.0

Easy to mount

Space savings

200

High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

1000

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25, Note 1

96 mΩ

DS99442E(01/06)

12 3 4 5

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IXFK64N60P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK64N60Q3	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 600V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFB70N60Q2	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFET Q-Class

与IXFK64N60P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK64N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK64N60Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 600V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFK66N50Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class
IXFK66N50Q2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK66N85X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFK69N30P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 69A I(D), 300V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFK72N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK72N20S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 72A I(D) \| TO-264SMD
IXFK73N30	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK73N30	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:

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