IXFK78N50P3

更新时间： 2024-11-18 12:20:15

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Polar3 HiPerFET Power MOSFET

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IXFK78N50P3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.45
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	78 A	最大漏极电流 (ID)：	78 A
最大漏源导通电阻：	0.068 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1130 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK78N50P3 数据手册

Advance Technical Information

Polar3^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 78A

R_DS(on)≤ 68mΩ

IXFK78N50P3

IXFX78N50P3

t_rr

≤ 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXFK)

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

200

I_A

E_AS

T_C= 25°C

1.5

Tab

P_D

T_C= 25°C

1130

G = Gate

S = Source

= Drain

dV/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

V/ns

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zDynamic dv/dt Rating

^zAvalanche Rated

^zFast Intrinsic Diode

^zLow Q_G

^zLow R_DS(on)

^zLow Drain-to-Tab Capacitance

^zLow Package Inductance

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

500

3.0

5.0

Applications

± 200 nA

25 μA

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

I_DSS

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

T_J= 125°C

^zUninterrupted Power Supplies

^zAC Motor Drives

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

68 mΩ

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS100313(03/11)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK74N50P2	IXYS	类似代替	PolarP2 HiPerFET Power MOSFET
IXFX78N50P3	IXYS	功能相似	Polar3 HiPerFET Power MOSFET
IXFX74N50P2	IXYS	功能相似	PolarP2 HiPerFET Power MOSFET

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IXFK80N10	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 80A I(D) \| TO-264AA
IXFK80N15Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFK80N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK80N20	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK80N20Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFK80N20S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 80A I(D) \| TO-264SMD
IXFK80N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFK80N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK80N50Q3	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFETs Q3-Class
IXFK80N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiPerFET Power MOSFET

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