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IXFX78N50P3

更新时间： 2024-11-05 11:14:07

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IXYS		/
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5页	131K
描述
Polar3 HiPerFET Power MOSFET

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IXFX78N50P3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, PLUS247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.79
Samacsys Description：	IXYS IXFX78N50P3 N-channel MOSFET Transistor, 78 A, 500 V, 3-Pin PLUS247	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	78 A	最大漏极电流 (ID)：	78 A
最大漏源导通电阻：	0.068 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFX78N50P3 数据手册

Advance Technical Information

Polar3^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 78A

R_DS(on)≤ 68mΩ

IXFK78N50P3

IXFX78N50P3

t_rr

≤ 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXFK)

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

200

I_A

E_AS

T_C= 25°C

1.5

Tab

P_D

T_C= 25°C

1130

G = Gate

S = Source

= Drain

dV/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

V/ns

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zDynamic dv/dt Rating

^zAvalanche Rated

^zFast Intrinsic Diode

^zLow Q_G

^zLow R_DS(on)

^zLow Drain-to-Tab Capacitance

^zLow Package Inductance

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

500

3.0

5.0

Applications

± 200 nA

25 μA

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

I_DSS

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

T_J= 125°C

^zUninterrupted Power Supplies

^zAC Motor Drives

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

68 mΩ

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS100313(03/11)

12 3 4 5

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IXFX78N50P3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFX74N50P2	IXYS	类似代替	PolarP2 HiPerFET Power MOSFET
IXFK78N50P3	IXYS	功能相似	Polar3 HiPerFET Power MOSFET
IXFK74N50P2	IXYS	功能相似	PolarP2 HiPerFET Power MOSFET

与IXFX78N50P3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFX80N20Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 200V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFX80N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFX80N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFX80N50Q3	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFETs Q3-Class
IXFX80N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiPerFET Power MOSFET
IXFX80N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFX88N20Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX90N20Q	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs Q-CLASS
IXFX90N20Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFX90N20QS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 90A I(D) \| TO-247SMD

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