5秒后页面跳转

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXFK98N50P3

IXFK98N50P3 PDF预览

IXFK98N50P3

更新时间： 2024-01-10 02:32:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
5页	132K
描述
Polar3 HiPerFET Power MOSFET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFK98N50P3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXFK98N50P3 数据手册

浏览型号IXFK98N50P3的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IXFK98N50P3的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IXFK98N50P3的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IXFK98N50P3的Datasheet PDF文件第5页

Advance Technical Information

Polar3^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 98A

R_DS(on)≤ 50mΩ

IXFK98N50P3

IXFX98N50P3

t_rr

≤ 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXFK)

Fast Intrinsic Diode

G

D

S

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

500

V

V

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

V

V

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

98

245

A

A

I_A

E_AS

T_C= 25°C

T_C= 25°C

49

2

A

J

G

D

S

Tab

P_D

T_C= 25°C

1300

35

W

G = Gate

S = Source

D

= Drain

dV/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

V/ns

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

°C

°C

Features

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

°C

^zDynamic dv/dt Rating

^zAvalanche Rated

^zFast Intrinsic Diode

^zLow Q_G

^zLow R_DS(on)

^zLow Drain-to-Tab Capacitance

^zLow Package Inductance

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

10

6

g

g

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

z

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

z

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

500

V

V

3.0

5.0

Applications

± 200 nA

50 μA

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

I_DSS

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

T_J= 125°C

4

mA

^zUninterrupted Power Supplies

^zAC Motor Drives

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

50 mΩ

^zHigh Speed Power Switching

Applications

© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

DS100317(03/11)

12 3 4 5

下载PDF

与IXFK98N50P3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXFL100N50P	IXYS	PolarHV HiPerFET Power MOSFET	获取价格
IXFL100N50P	LITTELFUSE	功能与特色: 优点: 应用:	获取价格
IXFL10N60	IXYS	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	获取价格
IXFL132N50P3	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXFL13N65	IXYS	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	获取价格
IXFL14N60	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-254	获取价格

与IXFK98N50P3相关文章

您还可以找

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证