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IXFK90N30

更新时间： 2023-12-06 20:13:07

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFK90N30 数据手册

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HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFX 90N30

IXFK 90N30

V_DSS= 300 V

I_D25= 90 A

R_DS(on)= 33 mΩ

Single MOSFET Die

t ≤ 250 ns

rr

PLUS247^TM

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

300

300

V

V

(TAB)

G

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

D

I_D25

I_D104

I_DM

T_C= 25°C (MOSFET chip capability)

T_C= 104°C (External lead capability)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

90

75

360

90

A

A

A

A

TO-264AA(IXFK)

I_AR

G

D

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

T_C= 25°C

64

3

mJ

J

S

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

5

V/ns

P_D

T_J

T_C= 25°C

560

W

-55 ... +150

°C

Features

l

International standard packages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

°C

l

l

l

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque

TO-264

0.4/6

Nm/lb.in.

l

l

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic rectifier

Weight

PLUS 247

TO-264

6

10

g

g

Applications

l

DC-DC converters

l

Battery chargers

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

l

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

min. typ. max.

l

DC choppers

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

300

2.0

V

l

AC motor control

l

Temperature and lighting controls

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

4.0 V

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±100 nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 µA

2 mA

l

PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

l

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Note 1

33 mΩ

Space savings

l

High power density

98537A (12/01)

© 2001 IXYS All rights reserved

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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