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IXFX74N50P2

更新时间： 2024-02-04 00:39:30

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PolarP2 HiPerFET Power MOSFET

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IXFX74N50P2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	74 A	最大漏极电流 (ID)：	74 A
最大漏源导通电阻：	0.077 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1400 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	185 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFX74N50P2 数据手册

Advance Technical Information

PolarP2^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 74A

R_DS(on)≤ 77mΩ

IXFK74N50P2

IXFX74N50P2

t_rr

≤ 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-264 (IXFK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

185

I_A

E_AS

T_C= 25°C

P_D

T_C= 25°C

1400

Tab

dv/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

^zInternational Standard Packages

^zDynamic dv/dt Rating

^zAvalanche Rated

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

^zFast Intrinsic Diode

Weight

TO-264

PLUS247

^zLow Q_Gand R_DS(on)

^zLow Drain-to-Tab Capacitance

^zLow Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

500

Applications

3.0

5.0

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

± 100 nA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

10 μA

1.5 mA

T_J= 125°C

^zUninterrupted Power Supplies

^zAC Motor Drives

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

77 mΩ

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS100252(03/10)

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IXFX74N50P2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFX78N50P3	IXYS	类似代替	Polar3 HiPerFET Power MOSFET
IXFK74N50P2	IXYS	类似代替	PolarP2 HiPerFET Power MOSFET
IXFK78N50P3	IXYS	功能相似	Polar3 HiPerFET Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXFX78N50P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX80N20Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 200V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFX80N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFX80N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFX80N50Q3	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFETs Q3-Class
IXFX80N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiPerFET Power MOSFET
IXFX80N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
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