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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-264AA | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 88 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-264AA |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 352 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFX88N20Q | IXYS |
类似代替  |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXTA86N20T | IXYS |
功能相似 |
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| IXFT80N20Q | IXYS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFK88N30P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFK88N30P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFK90N120 | IXYS |
获取价格 |
Transistor |
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| IXFK90N20 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK90N20 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFK90N20Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs Q-CLASS |
|
| IXFK90N20Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFK90N20QS | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK90N30 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK90N30 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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