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IXFK64N60Q3

更新时间： 2024-11-18 20:06:39

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	127K
描述
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 600V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, PLASTIC PACKAGE-3

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IXFK64N60Q3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	7.59	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	64 A	最大漏极电流 (ID)：	64 A
最大漏源导通电阻：	0.095 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK64N60Q3 数据手册

Advance Technical Information

HiperFET^TM

Power MOSFETs

Q3-Class

V_DSS= 600V

I_D25= 64A

R_DS(on)≤ 95mΩ

IXFK64N60Q3

IXFX64N60Q3

t_rr

≤ 300ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXFK)

Fast Intrinsic Rectifier

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

600

V_DGR

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

250

I_A

E_AS

T_C= 25°C

Tab

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

1250

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Low Intrinsic Gate Resistance

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)and Q_G

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode

6.5

±200 nA

Power Supplies

DC Choppers

Temperature and Lighting Controls

I_DSS

50 μA

1.5 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

95 mΩ

DS100350(06/11)

12 3 4 5

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IXFK64N60Q3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK64N60P	IXYS	类似代替	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFB70N60Q2	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFET Q-Class

与IXFK64N60Q3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK66N50Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class
IXFK66N50Q2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK66N85X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFK69N30P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 69A I(D), 300V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFK72N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK72N20S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 72A I(D) \| TO-264SMD
IXFK73N30	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK73N30	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK73N30Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK74N50P2	IXYS	获取价格	PolarP2 HiPerFET Power MOSFET

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