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IXFK69N30P

更新时间： 2024-01-23 15:22:22
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 603K
描述
Power Field-Effect Transistor, 69A I(D), 300V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264AA, 3 PIN

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IXFK69N30P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：300 V最大漏极电流 (ID)：69 A
最大漏源导通电阻：0.049 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-264AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXFK69N30P 数据手册

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PolarHTTMHiPerFET  
Power MOSFET  
IXFH69N30P  
IXFK69N30P  
VDSS  
ID25  
= 300 V  
= 69 A  
RDS(on) = 49 mΩ  
trr  
≤ 200 ns  
N-Channel Enhancement Mode  
Fast Intrinsic Diode  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-247 (IXFH)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
300  
300  
V
V
VGS  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
D (TAB)  
G
VGSM  
D
S
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
69  
A
A
TO-264 (IXFK)  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
200  
IAR  
TC = 25°C  
69  
A
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
50  
mJ  
J
1.5  
D (TAB)  
G
D
S
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 4 Ω  
,
10  
V/ns  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
TC = 25°C  
500  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
Features  
z
International standard packages  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
Fast intrinsic diode  
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Mounting torque  
300  
°C  
z
z
z
Md  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Weight  
TO-247  
TO-264  
6
10  
g
g
Advantages  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
z
Easy to mount  
Space savings  
VDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250µA  
VGS = 20 VDC, VDS = 0  
300  
V
V
z
z
High power density  
2.5  
5.0  
100  
nA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
25  
250  
µA  
µA  
TJ = 125°C  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
49 mΩ  
Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
DS99220(12/04)  
© 2004 IXYS All rights reserved  
12345

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