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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-264AA |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 8.47 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 4000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 64 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 64 A | 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-264AA |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1000 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFK64N60P | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode |
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| IXFK64N60P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFK64N60P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFK64N60Q3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 600V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXFK66N50Q2 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class |
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| IXFK66N50Q2 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFK66N85X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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| IXFK69N30P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 69A I(D), 300V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXFK72N20 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK72N20S | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 72A I(D) | TO-264SMD |
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