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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.75 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 62 A | 最大漏极电流 (ID)： | 62 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.035 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-264AA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 390 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 248 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFK64N50P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFK64N50P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFK64N50Q3 | IXYS |
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HiperFET Power MOSFETs Q3-Class |
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| IXFK64N60P | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode |
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| IXFK64N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFK64N60P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFK64N60Q3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 600V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXFK66N50Q2 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class |
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| IXFK66N50Q2 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFK66N85X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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