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IXFK52N30Q

更新时间： 2024-02-26 02:31:31

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力特 - LITTELFUSE		/
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3页	121K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFK52N30Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	52 A	最大漏极电流 (ID)：	52 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	208 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK52N30Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 52N30Q

IXFK 52N30Q

IXFT 52N30Q

V_DSS= 300 V

I_D25= 52 A

R_DS(on)= 60 mW

t_rr

£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

Low Gate Charge and Capacitances

Preliminary data

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

300

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, Chip capability

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

208

TO-268 (D3) ( IXFT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

(TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

P_D

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

TO-264AA(IXFK)

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mountingtorque

TO-247

TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

0.9/6 Nm/lb.in.

D (TAB)

Weight

Symbol

TO-247

TO-264

TO-268

G = Gate

S = Source

TAB = Drain

Features

• Low gate charge

TestConditions

CharacteristicValues

• Internationalstandardpackages

• EpoxymeetUL94V-0,flammability

classification

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Avalanche energy and current rated

• Fast intrinsic Rectifier

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

300

V_GS(th)

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

50 mA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

60 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98522B(7/00)

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