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IXFK55N50

更新时间： 2024-09-27 21:54:43

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4页	123K
描述
HiPerFET Power MOSFET

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IXFK55N50 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.47
其他特性：	AVALANCHE RATED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	55 A	最大漏极电流 (ID)：	55 A
最大漏源导通电阻：	0.09 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	560 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	220 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK55N50 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

t_rr

IXFN 55N50 500V 55A

IXFN 50N50 500V 50A 100mΩ 250ns

IXFK 55N50 500V 55A 80mΩ 250ns

80mΩ 250ns

Power MOSFET

Single Die MOSFET

IXFK 50N50 500V 50A 100mΩ 250ns

Preliminary data sheet

TO-264AA(IXFK)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

IXFK

IXFN

55N50

50N50

55N50

50N50

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

500

T^J_J= 25°C to 150°C

D (TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

±20

±30

V_GSM

miniBLOC,SOT-227B(IXFN)

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

220

200

220

50 A

200 A

50 A

T^C=25°C,

E153432

T_C^C= 25°C

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

560

600

G = Gate

= Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

S = Source

TAB = Drain

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300 N/A

2500

°C

Features

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

N/A

• International standard packages

• Encapsulating epoxy meets

UL 94 V-0, flammability classification

• miniBLOC with Aluminium nitride

isolation

3000

M_d

Mounting torque

0.9/6

N/A

1.5/13 Nm/lb.in.

Terminal connection torque

• Low R

HDMOS^TMprocess

Weight

• Rugge^Dd^{S (}p^ono⁾lysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

• Low package inductance

• Fast intrinsic Rectifier

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±20V; V_DS= 0V

500

2.5

V_GS(th)

I_GSS

4.5

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

±200

• DC choppers

• Temperature and lighting controls

I_DSS

= V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

µA

V_G^DS_S= 0^DV^SS

Advantages

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

55N50

50N50

mΩ

N^Go^Ste 1

100

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

97502F (04/02)

12 3 4

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IXFK55N50 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
APT56M50L	MICROSEMI	功能相似	APT56M50B2
STW20NK50Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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