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APT56M50L

更新时间： 2024-11-16 04:32:51
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美高森美 - MICROSEMI /
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4页 385K
描述
APT56M50B2

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APT56M50L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-264AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：1.68
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：1200 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：56 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-264AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：175 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APT56M50L 数据手册

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APT56M50B2  
APT56M50L  
500V, 56A, 0.10Ω Max  
N-Channel MOSFET  
T-MaxTM  
TO-264  
Power MOS 8™ is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.  
A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low  
switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-  
tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure  
help control slew rates during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling,  
even when switching at very high frequency. Reliability in flyback, boost, forward, and  
other circuits is enhanced by the high avalanche energy capability.  
APT56M50B2  
APT56M50L  
G
D
S
Single die MOSFET  
FEATURES  
TYPICAL APPLICATIONS  
• PFC and other boost converter  
• Fast switching with low EMI/RFI  
• Buck converter  
• Low RDS(on)  
• Two switch forward (asymmetrical bridge)  
• Single switch forward  
• Flyback  
• Ultra low Crss for improved noise immunity  
• Low gate charge  
• Avalanche energy rated  
• RoHS compliant  
• Inverters  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Parameter  
Unit  
Ratings  
56  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
ID  
Continuous Drain Current @ TC = 100°C  
35  
A
Pulsed Drain Current 1  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
175  
±30  
1200  
28  
V
mJ  
A
Gate-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy 2  
Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive  
Thermal and Mechanical Characteristics  
Symbol Characteristic  
Min  
Typ  
Max  
780  
Unit  
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
W
RθJC  
0.16  
Junction to Case Thermal Resistance  
°C/W  
°C  
RθCS  
0.11  
Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface  
TJ,TSTG  
-55  
150  
300  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
TL  
Soldering Temperature for 10 Seconds (1.6mm from case)  
oz  
g
0.22  
6.2  
WT  
Package Weight  
in·lbf  
N·m  
12  
Torque  
Mounting Torque ( TO-247 Package), 6-32 or M3 screw  
1.4  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
1234

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