5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXFK48N50
IXFK48N50 PDF预览

IXFK48N50

更新时间： 2024-11-17 22:11:55
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 110K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXFK48N50 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-264包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：3.66Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：48 A最大漏极电流 (ID)：48 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-264JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：500 W最大功率耗散 (Abs)：500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：192 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXFK48N50 数据手册

 浏览型号IXFK48N50的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFK48N50的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFK48N50的Datasheet PDF文件第4页 
HiPerFETTM  
Power MOSFETs  
VDSS  
ID25  
RDS(on)  
IXFK / IXFN 44 N50  
IXFK / IXFN 48 N50  
500V 44 A 0.12 Ω  
500V 48 A 0.10 Ω  
trr ≤ 250 ns  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr  
TO-264 AA  
Symbol  
TestConditions  
MaximumRatings  
(IXFK)  
IXFK  
IXFN  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
500  
500  
500  
500  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
G
D
(TAB)  
VGS  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
±20  
±30  
V
V
S
VGSM  
ID25  
TC = 25°C  
44N50  
48N50  
44  
48  
44  
48  
A
A
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)  
E153432  
IDM  
TC = 25°C,  
pulse width limited by TJM  
44N50  
48N50  
176  
192  
176  
192  
A
A
S
G
D
IAR  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
24  
30  
5
24  
30  
5
A
EAR  
mJ  
G
S
dv/dt  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 2 Ω  
,
V/ns  
S
D
S
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
PD  
TC = 25°C  
500  
520  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
300  
°C  
°C  
°C  
Either Source terminal at miniBLOC can be used  
as Main or Kelvin Source  
TJM  
Tstg  
Features  
TL  
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s  
-
°C  
ꢀ
Internationalstandardpackages  
ꢀ
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
ISOL ≤ 1 mA  
t = 1 min  
t = 1 s  
-
-
2500  
3000  
V~  
V~  
Molding epoxies meet UL94V-0  
flammabilityclassification  
I
ꢀ
SOT-227BminiBLOCwithaluminium  
nitrideisolation  
Low RDS (on) HDMOSTM process  
Md  
Mountingtorque  
Terminalconnectiontorque  
0.9/6  
-
1.5/13 Nm/lb.in.  
1.5/13 Nm/lb.in.  
ꢀ
ꢀ
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Fast intrinsic rectifier  
Weight  
Symbol  
10  
30  
g
ꢀ
TestConditions  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Applications  
min. typ. max.  
ꢀ
DC-DC converters  
ꢀ
Synchronousrectification  
Battery chargers  
Switched-modeandresonant-mode  
VDSS  
VGS = 0 V, ID = 1 mA  
VDS = VGS, ID = 8 mA  
500  
2
V
V
ꢀ
VGS(th)  
4
ꢀ
IGSS  
IDSS  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
±200 nA  
400 µA  
powersupplies  
DC choppers  
Temperatureandlightingcontrols  
ꢀ
VDS = 0.8 • VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
ꢀ
2
mA  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 • ID25  
44N50  
48N50  
0.12  
0.10  
Ω
Ω
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
ꢀ
Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
Space savings  
ꢀ
High power density  
93001I (07/00)  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
C1 - 184  
1234

中文翻译

下载PDF

IXFK48N50 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
APT56M50L MICROSEMI

功能相似

 APT56M50B2
APT56F50L MICROSEMI

功能相似

 N-Channel FREDFET
FQL40N50 FAIRCHILD

功能相似

 500V N-Channel MOSFET

与IXFK48N50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFK48N50Q IXYS

获取价格

 		HiPer FET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK48N50Q_03 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK48N50S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-264VAR
IXFK48N55 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs
IXFK48N60P IXYS

获取价格

 		PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic
IXFK48N60P LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 优点: 应用:
IXFK48N60Q3 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXFK50N50 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFET
IXFK50N85X LITTELFUSE

获取价格

 		采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFK520N075T2 IXYS

获取价格

 		TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET

与IXFK48N50相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证