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IXFK48N55

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFK48N55 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 550 V

IXFK 48N55

IXFX 48N55

I_D25= 48 A

R_DS(on)= 110mW

Single MOSFET Die

Avalanche Rated

t_rr£ 250 ns

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

PLUS 247^TM(IXFK)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

550

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

192

TO-264 AA (IXFK)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

(TAB)

P_D

T_J

T_C= 25°C

560

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

• Internationalstandardpackages

M_d

Mountingtorque

TO-264

0.9/6 Nm/lb.in.

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Weight

PLUS 247

TO-264

• Ruggedpolysilicongatecellstructure

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

• Lowpackageinductance

- easy to drive and to protect

• Fastintrinsicrectifier

Applications

• DC-DC converters

• Batterychargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

Symbol

V_DSS

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

550

2.5

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

4.5 V

• ACmotorcontrol

• Temperatureandlightingcontrols

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±200nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

100 mA

2 mA

• PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

110 mW

• Space savings

• Highpowerdensity

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98712(3/24/00)

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IXFK48N55 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFX44N55Q	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS

与IXFK48N55相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK48N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic
IXFK48N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK48N60Q3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK50N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET
IXFK50N85X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFK520N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET
IXFK520N075T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK52N100X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFK52N30	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 52A I(D) \| TO-264AA
IXFK52N30Q	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacita

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