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IXFK520N075T2

更新时间： 2024-02-29 02:52:19

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页	183K
描述
TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET

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IXFK520N075T2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXFK520N075T2 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT2^TMGigaMOS^TM

HiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 75V

I_D25= 520A

R_DS(on)≤ 2.2mΩ

IXFK520N075T2

IXFX520N075T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXFK)

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (Chip Capability)

External Lead Current Limit

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

520

160

1350

I_A

E_AS

T_C= 25°C

200

Tab

P_D

T_C= 25°C

1250

G = Gate

S = Source

= Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Tab = Drain

Features

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Diode

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

^zAvalanche Rated

Weight

TO-264

PLUS247

Low R_DS(on)

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

2.5

5.0

Applications

^zDC-DC Converters and Off-Line UPS

^zPrimary-Side Switch

^zHigh Speed Power Switching

Applications

± 200 nA

25 μA

I_DSS

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 100A, Notes 1 & 2

2.2 mΩ

DS100211(11/09)

12 3 4 5 6

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IXFK520N075T2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFX520N075T2	LITTELFUSE	功能相似	Power Field-Effect Transistor,
IXFX520N075T2	IXYS	功能相似	TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET

与IXFK520N075T2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK52N100X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFK52N30	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 52A I(D) \| TO-264AA
IXFK52N30Q	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacita
IXFK52N30Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK52N60Q2	IXYS	获取价格	Advanced Technical Information
IXFK52N60Q2_08	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class
IXFK55N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET
IXFK55N50	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK55N50F	IXYS	获取价格	HiPerRFTM Power MOSFETs
IXFK60N25Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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