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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQL40N50
FQL40N50 PDF预览

FQL40N50

更新时间： 2024-11-17 22:07:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 625K
描述
500V N-Channel MOSFET

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FQL40N50 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-264
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1780 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.11 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-264AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：460 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQL40N50 数据手册

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May 2001  
TM  
QFET  
FQL40N50  
500V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supply, power  
factor correction, motor drive and welding machine.  
•
•
•
•
•
•
40A, 500V, R  
= 0.11Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 155 nC)  
Low Crss ( typical 95 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
"
! "  
"
!
G
"
TO-264  
FQL Series  
!
S
G
D S  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQL40N50  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
500  
40  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
25  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
160  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
1780  
40  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
46  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
460  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
3.7  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
0.27  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.1  
--  
30  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1. May 2001  
12345678

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FQL40N50 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD18N55M5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V P
STD6N95K5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protect
STW20NK50Z STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247

与FQL40N50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQL40N50F FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQL40N50F ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，FRFET®，500 V，40 A，110mΩ，
FQL50N40 FAIRCHILD

获取价格

 		400V N-Channel MOSFET
FQM1-CM002 OMRON

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 		PULSE MODULE 2 AXIS
FQM1-TER01 OMRON

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 		5M 4COND 22AWG TPE ST MALE M12
FQN10F25X03B AMPHENOL

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 		Push-On Terminal
FQN10F25X03D AMPHENOL

获取价格

 		Push-On Terminal
FQN10M25X03B AMPHENOL

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 		TAB Terminal
FQN10M25X03D AMPHENOL

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 		TAB Terminal
FQN14F25X03B AMPHENOL

获取价格

 		Push-On Terminal

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