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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQL40N50F
FQL40N50F PDF预览

FQL40N50F

更新时间： 2024-09-29 22:32:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 638K
描述
500V N-Channel MOSFET

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FQL40N50F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-264
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.88
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1800 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A最大漏极电流 (ID)：40 A
最大漏源导通电阻：0.11 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-264AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：460 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQL40N50F 数据手册

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September 2001  
TM  
FRFET  
FQL40N50F  
500V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies,  
where the body diode is used such as phase-shift ZVS,  
basic full-bridge topology.  
•
•
•
•
•
•
•
40A, 500V, R  
= 0.11Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 155 nC)  
Low Crss ( typical 95 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
Fast recovery body diode ( max, 250ns )  
D
!
"
! "  
"
!
G
"
TO-264  
FQL Series  
!
S
G
D S  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQL40N50F  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
500  
40  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
25  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
160  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
1800  
40  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
46  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
20  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
460  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
3.7  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
0.27  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.1  
--  
30  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2001  
12345678

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FQL40N50F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD18N55M5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V P
STD6N95K5 STMICROELECTRONICS

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 N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protect
STW20NK50Z STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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