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FQL50N40 PDF预览

FQL50N40

更新时间: 2024-09-29 22:07:55
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 789K
描述
400V N-Channel MOSFET

FQL50N40 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-264AA包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.34
雪崩能效等级(Eas):1860 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:400 V最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A
最大漏极电流 (ID):50 A最大漏源导通电阻:0.075 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-264AA
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):460 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FQL50N40 数据手册

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