FQN1N50CTA

更新时间： 2024-09-30 12:28:43

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关
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8页	3602K
描述
N-Channel QFET MOSFET 500 V, 0.38 A, 6 Ohm

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FQN1N50CTA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.38 A
最大漏极电流 (ID)：	0.38 A	最大漏源导通电阻：	6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	40 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.08 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FQN1N50CTA 数据手册

March 2013

FQN1N50C

N-Channel QFET MOSFET

500 V, 0.38 A, 6 Ω

Description

Features

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is

produced using Fairchild Semiconductor^®’s proprietary

planar stripe and DMOS technology. This advanced

MOSFET technology has been especially tailored to reduce

on-state resistance, and to provide superior switching

performance and high avalanche energy strength. These

devices are suitable for switched mode power supplies,

active power factor correction (PFC), and electronic lamp

ballasts.

0.38 A, 500 V, R_DS(on)= 6 Ω (Max) @V_GS= 10 V, I_D= 0.19 A

•

Low Gate Charge (Typ. 4.9 nC)

Low Crss (Typ. 4.1 pF)

100% Avalanche Tested

TO-92

FQN Series

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V_DSS

Parameter

FQN1N50C

500

Unit

Drain-Source Voltage

I_D

Drain Current

- Continuous (T_C= 25°C)

- Continuous (T_C= 100°C)

- Pulsed

0.38

0.24

I_DM

Drain Current

(Note 1)

3.04

V_GSS

E_AS

I_AR

Gate-Source Voltage

± 30

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

(Note 2)

(Note 1)

(Note 3)

44.4

0.38

E_AR

dv/dt

P_D

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Power Dissipation (T_A= 25°C)

Power Dissipation (T_L= 25°C)

- Derate above 25°C

0.21

V/ns

4.5

0.89

2.08

0.017

-55 to +150

300

W/°C

°C

T_J, T_STG

T_L

Operating and Storage Temperature Range

Maximum lead temperature for soldering purposes,

1/8" from case for 5 seconds

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Typ

Max

Unit

°C/W

R_θJL

R_θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Lead

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 6a)

(Note 6b)

140

FQN1N50C Rev. C0

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6 7 8

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与FQN1N50CTA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FQN1N60C	FAIRCHILD	获取价格	600V N-Channel MOSFET
FQN1N60CBU	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQN1N60CBU	ROCHESTER	获取价格	300mA, 600V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
FQN1N60CTA	ROCHESTER	获取价格	300mA, 600V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
FQN1N60CTA	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，0.3 A，11.5 Ω，TO-92
FQNL1N50B	FAIRCHILD	获取价格	500V N-Channel MOSFET
FQNL1N50BBU	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQNL1N50BTA	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQNL2N50B	FAIRCHILD	获取价格	500V N-Channel MOSFET
FQNL2N50BBU	ROCHESTER	获取价格	0.35A, 500V, 5.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-92L, 3 PIN

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