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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | LEAD FREE, TO-92, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.31 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 11.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 6 pF | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQN1N60CTA | ROCHESTER |
获取价格 |
300mA, 600V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN |
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| FQN1N60CTA | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，0.3 A，11.5 Ω，TO-92 |
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| FQNL1N50B | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQNL1N50BBU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| FQNL1N50BTA | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FQNL2N50B | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQNL2N50BBU | ROCHESTER |
获取价格 |
0.35A, 500V, 5.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-92L, 3 PIN |
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| FQNL2N50BBU-NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FQNL2N50BTA | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET® MOSFET 500V, 0.35A, 5.3Ω, 3LD, TO-92L, NON-JEDEC 8MM TAL |
|
| FQNL2N50BTA | ROCHESTER |
获取价格 |
0.35A, 500V, 5.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-92L, 3 PIN |
|
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