FQNL1N50B

更新时间： 2024-09-29 22:25:15

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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500V N-Channel MOSFET

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FQNL1N50B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92L	包装说明：	TO-92L, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.21
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.27 A	最大漏极电流 (ID)：	0.27 A
最大漏源导通电阻：	9 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.08 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FQNL1N50B 数据手册

March 2001

QFET

FQNL1N50B

500V N-Channel MOSFET

General Description

Features

These N-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild’s proprietary,

planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to

minimize on-state resistance, provide superior switching

performance, and withstand high energy pulse in the

avalanche and commutation mode. These devices are well

suited for high efficiency switch mode power supply, power

factor correction, electronic lamp ballast based on half

bridge.

•

0.27A, 500V, R

= 9.0Ω @V = 10 V

DS(on) GS

Low gate charge ( typical 4.0 nC)

Low Crss ( typical 3.0 pF)

Fast switching

Improved dv/dt capability

! "

G !

TO-92L

FQNL Series

D S

Absolute Maximum Ratings

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

FQNL1N50B

500

Units

Drain-Source Voltage

DSS

- Continuous (T = 25°C)

Drain Current

0.27

- Continuous (T = 100°C)

0.17

(Note 1)

Drain Current

- Pulsed

1.08

Gate-Source Voltage

± 30

GSS

(Note 1)

(Note 2)

Avalanche Current

0.27

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

0.15

V/ns

dv/dt

4.5

Power Dissipation (T = 25°C)

1.5

- Derate above 25°C

Operating and Storage Temperature Range

0.012

-55 to +150

W/°C

°C

T , T

STG

Maximum lead temperature for soldering purposes,

300

°C

1/8" from case for 5 seconds

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Typ

Max

Units

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

°C/W

θJA

Rev. A, March 2001

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FQNL1N50BBU	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQNL1N50BTA	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQNL2N50B	FAIRCHILD	获取价格	500V N-Channel MOSFET
FQNL2N50BBU	ROCHESTER	获取价格	0.35A, 500V, 5.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-92L, 3 PIN
FQNL2N50BBU-NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FQNL2N50BTA	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel QFET® MOSFET 500V, 0.35A, 5.3Ω, 3LD, TO-92L, NON-JEDEC 8MM TAL
FQNL2N50BTA	ROCHESTER	获取价格	0.35A, 500V, 5.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-92L, 3 PIN
FQNL2N50BTA	ONSEMI	获取价格	N 沟道 QFET® MOSFET 500V，0.35A，5.3Ω
FQNL2N50BTA_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQN-R-3	COOPER	获取价格	Electric Fuse, Time Delay Blow, 3A, 600VAC, 200000A (IR), Inline/holder

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