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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FQN1N60CBU
FQN1N60CBU PDF预览

FQN1N60CBU

更新时间： 2024-09-30 13:07:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 678K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN

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FQN1N60CBU 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.29Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.3 A最大漏极电流 (ID)：0.3 A
最大漏源导通电阻：11.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：6 pFJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQN1N60CBU 数据手册

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®
QFET  
FQN1N60C  
600V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
0.3 A, 600 V, R  
= 11.5 Ω @ V = 10 V  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficiency switched mode power supplies, active power factor  
correction, electronic lamp ballasts based on half bridge  
topology.  
DS(on)  
GS  
Low gate charge ( typical 4.8 nC )  
Low Crss ( typical 3.5 pF)  
Fast switching  
100 % avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
G
!
TO-92  
SSN Series  
!
S
G D S  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FQN1N60C  
Units  
V
V
Drain-Source Voltage  
600  
0.3  
DSS  
I
Drain Current  
- Continuous (T = 25°C)  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
0.18  
1.2  
A
C
I
Drain Current  
- Pulsed  
(Note 1)  
A
DM  
V
E
Gate-Source Voltage  
± 30  
33  
V
GSS  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
mJ  
A
AS  
I
0.3  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
0.3  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
1
D
A
Power Dissipation (T = 25°C)  
3
W
L
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.02  
-55 to +150  
300  
W/°C  
°C  
°C  
T , T  
J
STG  
T
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
50  
Units  
°C/W  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Lead  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 6a)  
(Note 6b)  
θJL  
θJA  
R
--  
140  
°C/W  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQN1N60C Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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与FQN1N60CBU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQN1N60CTA ROCHESTER

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 		300mA, 600V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
FQN1N60CTA ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，0.3 A，11.5 Ω，TO-92
FQNL1N50B FAIRCHILD

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 		500V N-Channel MOSFET
FQNL1N50BBU FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQNL1N50BTA FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FQNL2N50BTA FAIRCHILD

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 		N-Channel QFET® MOSFET 500V, 0.35A, 5.3Ω, 3LD, TO-92L, NON-JEDEC 8MM TAL
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 		0.35A, 500V, 5.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-92L, 3 PIN

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