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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFK48N55 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK48N60P | IXYS |
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PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic |
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| IXFK48N60P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFK48N60Q3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFK50N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFK50N85X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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| IXFK520N075T2 | IXYS |
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TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET |
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| IXFK520N075T2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFK52N100X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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| IXFK52N30 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-264AA |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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