APT56M60B2

更新时间： 2024-11-16 04:18:07

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N-Channel MOSFET

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APT56M60B2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
其他特性：	FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1580 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	56 A	最大漏源导通电阻：	0.13 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	210 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	PURE MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT56M60B2 数据手册

APT56M60B2

APT56M60L

600V, 56A, 0.13Ω Max

N-Channel MOSFET

T-Max^TM

TO-264

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low

switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low C_rss"Miller" capaci-

tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure

help control slew rates during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling,

even when switching at very high frequency. Reliability in ﬂyback, boost, forward, and

other circuits is enhanced by the high avalanche energy capability.

APT56M60B2

APT56M60L

Single die MOSFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

• PFC and other boost converter

• Fast switching with low EMI/RFI

• Buck converter

• Low R_DS(on)

• Two switch forward (asymmetrical bridge)

• Single switch forward

• Flyback

• Ultra low C_rssfor improved noise immunity

• Low gate charge

• Avalanche energy rated

• RoHS compliant

• Inverters

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

210

±30

1580

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

1040

0.12

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

Junction to Case Thermal Resistance

°C/W

°C

R_θCS

0.11

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

T_J,T_STG

-55

150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_L

Soldering Temperature for 10 Seconds (1.6mm from case)

0.22

6.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Mounting Torque ( TO-264 Package), 4-40 or M3 screw

1.1

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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