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IXFK44N80P

更新时间： 2024-11-19 14:56:11

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFK44N80P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3400 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	44 A
最大漏源导通电阻：	0.19 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK44N80P 数据手册

Polar^TM

IXFK44N80P

IXFX44N80P

V_DSS= 800V

I_D25= 44A

R_DS(on) 190m

HiperFET^TM

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXFK)

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Tab

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

800

PLUS247 (IXFX)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

100

I_A

E_AS

T_C= 25C

3.4

Tab

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J150C

T_C= 25C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

1040

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

^International Standard Packages

^Fast Intrinsic Diode

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in

N/lb

^Avalanche Rated

20..120 /4.5..27



Low R_DS(on)

^Low Package Inductance

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 800μA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

800

3.0

5.0

200 nA

I_DSS

50 A

T_J= 125C

1.5 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 22A, Note 1

190 m

DS99478F(12/18)

12 3 4 5 6

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