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IXFK35N50

更新时间： 2024-02-04 17:21:44

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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFK35N50 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264SM
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A
最大漏极电流 (ID)：	35 A	最大漏源导通电阻：	0.15 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	416 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXFK35N50 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFK33N50 500V 33 A 0.16 W

IXFK35N50 500V 35 A 0.15 W

t_rr£ 250 ns

Power MOSFETs

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

Preliminarydata

TO-264 AA

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D (TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

33N50

35N50

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_C= 25°C,

pulse width limited by T_JM

33N50

35N50

132

140

T_C= 25°C

33N50

35N50

E_AS

E_AR

I_D= 32 A

2.5

T_C= 25°C

Features

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

V/ns

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

· Internationalstandardpackages

· Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammabilityclassification

· Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

· Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

P_D

T_C= 25°C

416

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

· Fast intrinsic rectifier

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

0.9/6

Nm/lb.in.

Applications

Weight

· DC-DC converters

· Synchronousrectification

· Battery chargers

· Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

· DC choppers

· Temperatureandlightingcontrols

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

0.102

-0.206

max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DSStemperature coefficient

500

%/K

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS(th)temperature coefficient

%/K

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200

Advantages

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

· Easy to mount

· Space savings

· High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 16.5A

33N50

35N50

0.16

0.15

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97517D(07/00)

1 - 2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK35N50S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 35A I(D) \| TO-264VAR
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