IXFK44N50

更新时间： 2024-02-08 10:26:55

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HiPerFET Power MOSFETs

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IXFK44N50 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	44 A
最大漏极电流 (ID)：	44 A	最大漏源导通电阻：	0.12 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	176 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK44N50 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFK / IXFN 44 N50

IXFK / IXFN 48 N50

500V 44 A 0.12 Ω

500V 48 A 0.10 Ω

t_rr≤ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

TO-264 AA

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

(IXFK)

IXFK

IXFN

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

±20

±30

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C

44N50

48N50

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

I_DM

T_C= 25°C,

pulse width limited by T_JM

44N50

48N50

176

192

176

192

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

500

520

T_J

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

°C

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

T_JM

T_stg

Features

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

°C

ꢀ

Internationalstandardpackages

ꢀ

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

Molding epoxies meet UL94V-0

flammabilityclassification

ꢀ

SOT-227BminiBLOCwithaluminium

nitrideisolation

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

0.9/6

1.5/13 Nm/lb.in.

ꢀ

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Fast intrinsic rectifier

Weight

Symbol

ꢀ

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

min. typ. max.

ꢀ

DC-DC converters

ꢀ

Synchronousrectification

Battery chargers

Switched-modeandresonant-mode

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

500

ꢀ

V_GS(th)

ꢀ

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

400 µA

powersupplies

DC choppers

Temperatureandlightingcontrols

ꢀ

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

ꢀ

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

44N50

48N50

0.12

0.10

Ω

Advantages

ꢀ

Easy to mount

ꢀ

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

Space savings

ꢀ

High power density

93001I (07/00)

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

C1 - 184

12 3 4

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