IXFK44N50F

更新时间： 2024-11-04 22:11:55

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
2页	101K
描述
HiPerRF Power MOSFETs F-Class MegaHertz Switching Single MOSFET Die

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFK44N50F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	44 A
最大漏极电流 (ID)：	44 A	最大漏源导通电阻：	0.12 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	184 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK44N50F 数据手册

HiPerRF^TM

Power MOSFETs

F-Class: MegaHertz Switching

IXFX 44N50F V_DSS= 500 V

IXFK 44N50F I_D25= 44 A

R_DS(on)= 120 mΩ

t ≤ 250 ns

Single MOSFET Die

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, Low Intrinsic R_g

High dV/dt, Low t_rr

PLUS247^TM(IXFX)

Maximum Ratings

Symbol

TestConditions

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

= 25°C to 150°C; R = 1 MΩ

500

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-264AA(IXFK)

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

184

= 25°C, pulse width limited by T

= 25°C

(TAB)

E_AR

E_AS

= 25°C

2.5

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

dv/dt

≤ I , di/dt ≤ 100 A/µs, V ≤ V

V/ns

DSS

≤ 150°C, R = 2 Ω

P_D

T_J

= 25°C

500

Features

RF capable MOSFETs

-55 ... +150

°C

Double metal process for low gate

resistance

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic rectifier

M_d

Mounting torque

TO-264

0.4/6 Nm/lb.in.

Weight

PLUS 247

TO-264

Applications

DC-DC converters

Switched-mode and resonant-mode

power supplies, >500kHz switching

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T = 25°C, unless otherwise specified)

DC choppers

min. typ. max.

13.5 MHz industrial applications

V_GS= 0 V, I_D= 250uA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

500

3.0

Pulse generation

Laser drivers

V_GS(th)

I_GSS

5.0 V

RF amplifiers

= ±20 V, V = 0

±100 nA

Advantages

I_DSS

= V

= 0 V

T = 25°C

100 µA

2 mA

DSS

PLUS 247 package for clip or spring

T = 125°C

mounting

R_DS(on)

= 10 V, I = 0.5 I

120 mΩ

D25

Space savings

High power density

Note 1

98731A (01/02)

中文翻译

下载PDF

IXFK44N50F 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SPP11N80C3	INFINEON	功能相似	Cool MOS⑩ Power Transistor
STW20NK50Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247
STP80NF10	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT

与IXFK44N50F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK44N50F_09	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFK44N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFK44N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK44N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK44N50S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 44A I(D) \| TO-264VAR
IXFK44N55Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK44N5Q	IXYS	获取价格	Transistor
IXFK44N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK44N60	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK44N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

与IXFK44N50F相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK44N50F

IXFK44N50F 技术参数

IXFK44N50F 数据手册

IXFK44N50F 替代型号

与IXFK44N50F相关器件

与IXFK44N50F相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK44N50F

IXFK44N50F 技术参数

IXFK44N50F 数据手册

IXFK44N50F 替代型号

与IXFK44N50F相关器件

与IXFK44N50F相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？