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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXFK36N60Q
IXFK36N60Q PDF预览

IXFK36N60Q

更新时间： 2024-11-05 13:08:55
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
4页 195K
描述
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA,

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IXFK36N60Q 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.76
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：2500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：36 A最大漏源导通电阻：0.165 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-264AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：144 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXFK36N60Q 数据手册

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IXFK 32N60 IXFN 32N60  
IXFK 36N60 IXFN 36N60  
Preliminary Data  
VDSS ID25 RDS(on)  
trr  
IXFK/FN 36N60 600V 36A 0.18Ω 250ns  
IXFK/FN 32N60 600V 32A 0.25Ω 250ns  
HiPerFETTMPower MOSFET  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr  
TO-264 AA (IXFK)  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
IXFK IXFN  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
600  
600  
V
V
G
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
D (TAB)  
D
S
VGS  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
±20  
±30  
V
V
VGSM  
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)  
E153432  
ID25  
IDM  
TC = 25°C, Chip capability  
32N60 32  
36N60 36  
32  
36  
128  
144  
20  
A
A
A
A
A
S
G
TC = 25°C, pulse width limited by TJM 32N60 128  
36N60 144  
IAR  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
20  
30  
5
S
D
EAR  
dv/dt  
30  
5
mJ  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
Either Source terminal at miniBLOC  
can be used as Main or Kelvin Source  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 2 Ω  
V/ns  
PD  
TC = 25°C  
500  
520  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
• International standard packages  
• JEDEC TO-264 AA, epoxy meet  
UL 94 V-0, flammability classification  
• miniBLOC with Aluminium nitride  
isolation  
-55 ... +150  
TL  
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s  
50/60 Hz, RMSt = 1 min  
300  
-
°C  
VISOL  
-
-
2500  
3000  
V~  
V~  
IISOL ≤ 1 mAt = 1 s  
• Low RDS (on) HDMOSTM process  
• Rugged polysilicon gate cell structure  
• Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Md  
Mounting torque  
Terminal connection torque  
0.9/6 1.5/13 Nm/lb.in.  
- 1.5/13 Nm/lb.in.  
Weight  
10  
30  
g
• Low package inductance  
• Fast intrinsic Rectifier  
Applications  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ. Max.  
• DC-DC converters  
• Synchronous rectification  
• Battery chargers  
• Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
• DC choppers  
VDSS  
VGS = 0 V, ID = 1 mA  
VDS = VGS, ID = 8 mA  
600  
2
V
V
VGH(th)  
4.5  
• Temperature and lighting controls  
• Low voltage relays  
IGSS  
IDSS  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
±200 nA  
VDS = 0.8 VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
400 µA  
2
mA  
Advantages  
• Easy to mount  
• Space savings  
• High power density  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2 % 32N60  
36N60  
0.18  
0.25  
Ω
Ω
92807G(01/96)  
©1996IXYSCorporation. All rightsreserved.
IXYSCorporation  
IXYSSemiconductor  
3540 Bassett Street, Santa Clara,CA 95054  
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim, Germany  
Tel: 408-982-0700  
Fax: 408-496-0670  
Tel: +49-6206-5030  
Fax: +49-6206-503629  
1234

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与IXFK36N60Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFK38N80Q2 IXYS

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 		N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
IXFK38N80Q2 LITTELFUSE

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 		功能与特色: 应用: 优点:
IXFK38N80Q2_08 IXYS

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 		HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class
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