IXFK420N10T

更新时间： 2024-11-05 11:14:03

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
6页	180K
描述
GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFK420N10T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	5000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	420 A
最大漏极电流 (ID)：	420 A	最大漏源导通电阻：	0.0026 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1670 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1000 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK420N10T 数据手册

Advance Technical Information

GigaMOS^TMTrench

HiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 420A

R_DS(on)≤ 2.6mΩ

IXFK420N10T

IXFX420N10T

t_rr

≤ 140ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXFK)

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

100

TAB

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (Chip Capability)

External Lead Current Limit

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

420

160

1000

I_A

E_AS

T_C= 25°C

100

TAB

P_D

T_C= 25°C

1670

G = Gate

= Drain

dV/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

V/ns

S = Source

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Features

^zInternational Standard Packages

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Diode

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

^zAvalanche Rated

20..120 /4.5..27

Low R_DS(on)

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

100

2.5

5.0

Synchronous Recification

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

± 200 nA

50 μA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

I_DSS

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 60A, Note 1

2.6 mΩ

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS100198(09/09)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

IXFK420N10T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFX420N10T	IXYS	类似代替	GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET

与IXFK420N10T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK43N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET
IXFK44N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK44N50	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK44N50F	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs F-Class MegaHertz Switching Single MOSFET Die
IXFK44N50F_09	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFK44N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFK44N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK44N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK44N50S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 44A I(D) \| TO-264VAR
IXFK44N55Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS

与IXFK420N10T相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK420N10T

IXFK420N10T 技术参数

IXFK420N10T 数据手册

IXFK420N10T 替代型号

与IXFK420N10T相关器件

与IXFK420N10T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK420N10T

IXFK420N10T 技术参数

IXFK420N10T 数据手册

IXFK420N10T 替代型号

与IXFK420N10T相关器件

与IXFK420N10T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？