5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXFK420N10T
IXFK420N10T PDF预览

IXFK420N10T

更新时间： 2024-01-16 07:51:56
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 180K
描述
GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXFK420N10T 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

IXFK420N10T 数据手册

 浏览型号IXFK420N10T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFK420N10T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFK420N10T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFK420N10T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXFK420N10T的Datasheet PDF文件第6页 
Advance Technical Information  
GigaMOSTM Trench  
HiperFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 100V  
ID25 = 420A  
RDS(on) ≤ 2.6mΩ  
IXFK420N10T  
IXFX420N10T  
trr  
≤ 140ns  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-264 (IXFK)  
Fast Intrinsic Diode  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
100  
100  
V
V
TAB  
D
S
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
PLUS247 (IXFX)  
ID25  
IL(RMS)  
IDM  
TC = 25°C (Chip Capability)  
External Lead Current Limit  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
420  
160  
1000  
A
A
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
100  
5
A
J
G
TAB  
D
S
PD  
TC = 25°C  
1670  
20  
W
G = Gate  
D
= Drain  
dV/dt  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 175°C  
V/ns  
S = Source  
TAB = Drain  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
Features  
z International Standard Packages  
z High Current Handling Capability  
z Fast Intrinsic Diode  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
N/lb.  
z Avalanche Rated  
20..120 /4.5..27  
z
Low RDS(on)  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
Advantages  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 3mA  
VDS = VGS, ID = 8mA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS= 0V  
100  
V
V
z
2.5  
5.0  
Synchronous Recification  
z DC-DC Converters  
z Battery Chargers  
± 200 nA  
50 μA  
z Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
z DC Choppers  
z AC Motor Drives  
IDSS  
TJ = 150°C  
5
mA  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 60A, Note 1  
2.6 mΩ  
z Uninterruptible Power Supplies  
z High Speed Power Switching  
Applications  
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100198(09/09)  
123456

中文翻译

下载PDF

IXFK420N10T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXFX420N10T IXYS

类似代替

 GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET

与IXFK420N10T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFK43N60 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFET
IXFK44N50 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs
IXFK44N50 LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用: 优点:
IXFK44N50F IXYS

获取价格

 		HiPerRF Power MOSFETs F-Class MegaHertz Switching Single MOSFET Die
IXFK44N50F_09 IXYS

获取价格

 		HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFK44N50P IXYS

获取价格

 		PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFK44N50P LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 优点: 应用:
IXFK44N50Q IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK44N50S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-264VAR
IXFK44N55Q IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS

与IXFK420N10T相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证