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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-264, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.23 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 32 A | 最大漏极电流 (ID)： | 32 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-264AA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 960 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFK33N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK33N50 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFK33N50S | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264VAR |
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| IXFK34N80 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK34N80 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFK35N50 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK35N50S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-264VAR |
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| IXFK360N10T | IXYS |
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GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET |
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| IXFK360N10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFK360N15T2 | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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