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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-264SM |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED | 雪崩能效等级（Eas）： | 2500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 33 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 33 A | 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 416 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 132 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFK34N80 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK34N80 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFK35N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK35N50S | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-264VAR |
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| IXFK360N10T | IXYS |
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GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET |
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| IXFK360N10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFK360N15T2 | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFK36N60 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFK36N60P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFK36N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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