5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXFK32N80Q3
IXFK32N80Q3 PDF预览

IXFK32N80Q3

更新时间： 2024-02-21 12:29:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
6页 127K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXFK32N80Q3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-264AA包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：8.45其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：3000 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：32 A最大漏极电流 (ID)：32 A
最大漏源导通电阻：0.27 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-264AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1000 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXFK32N80Q3 数据手册

 浏览型号IXFK32N80Q3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFK32N80Q3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFK32N80Q3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFK32N80Q3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXFK32N80Q3的Datasheet PDF文件第6页 
HiperFETTM  
Power MOSFET  
Q3-Class  
VDSS = 800V  
ID25 = 32A  
RDS(on) 270m  
IXFK32N80Q3  
IXFX32N80Q3  
trr  
300ns  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-264 (IXFK)  
Fast Intrinsic Rectifier  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
D
S
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
800  
800  
V
V
VDGR  
Tab  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
PLUS247 (IXFX)  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
32  
A
A
80  
IA  
EAS  
TC = 25C  
TC = 25C  
32  
3
A
J
G
D
S
Tab  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150C  
TC = 25C  
50  
V/ns  
W
1000  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
C  
C  
C  
Features  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Low Intrinsic Gate Resistance  
Low Package Inductance  
Fast Intrinsic Rectifier  
Low RDS(on) and QG  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in  
N/lb  
20..120 /4.5..27  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
800  
3.0  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
V
V
DC-DC Converters  
Battery Chargers  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
VDS = VGS, ID = 4mA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = 0.8 • VDSS, VGS = 0V  
6.0  
200 nA  
Power Supplies  
DC Choppers  
Temperature and Lighting Controls  
IDSS  
50 A  
2 mA  
TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
270 m  
DS100361B(01/14)  
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

中文翻译

下载PDF

与IXFK32N80Q3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFK32N90P IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFK32N90P LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFK33N50 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs
IXFK33N50 LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用: 优点:
IXFK33N50S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264VAR
IXFK34N80 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs
IXFK34N80 LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用: 优点:
IXFK35N50 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs
IXFK35N50S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-264VAR
IXFK360N10T IXYS

获取价格

 		GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET

与IXFK32N80Q3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证