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IXFK32N90P

更新时间： 2024-11-19 20:01:47

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	127K
描述
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, PLASTIC, TO-264, 3 PIN

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IXFK32N90P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	TO-264, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	7.52	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	32 A	最大漏极电流 (ID)：	32 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	960 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK32N90P 数据手册

Advance Technical Information

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS

I_D25

= 900V

= 32A

IXFK32N90P

IXFX32N90P

R_DS(on)< 300mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-264 (IXFK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

900

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

E_AS

Tab

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

960

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_J

-55 to +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 to +150

Features

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Low R_DS(on)and Q_G

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

Avalanche Rated

20..120 /4.5..27

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min. Typ. Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

900

3.5

6.5

Applications

±200 nA

Switch-Mode and Resonant-Mode

I_DSS

25 μA

2 mA

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

300 mΩ

Robotics and Servo Controls

DS100387(9/11)

12 3 4 5

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IXFK32N90P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK32N100Q3	IXYS	类似代替	HiperFET Power MOSFETs Q3-Class
IXFK32N100P	IXYS	类似代替	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFX32N90P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与IXFK32N90P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK33N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK33N50	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK33N50S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 33A I(D) \| TO-264VAR
IXFK34N80	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK34N80	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK35N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK35N50S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 35A I(D) \| TO-264VAR
IXFK360N10T	IXYS	获取价格	GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET
IXFK360N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK360N15T2	IXYS	获取价格	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

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