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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-264AA | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 8.29 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 32 A | 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-264AA |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFK32N80Q3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 800V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXFK32N80Q3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFK32N90P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXFK32N90P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXFK33N50 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK33N50 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFK33N50S | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264VAR |
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| IXFK34N80 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFK34N80 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFK35N50 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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