Datasheet > IXFK32N50Q

IXFK32N50Q

更新时间： 2024-09-27 04:22:47

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
4页	114K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFK32N50Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	32 A
最大漏极电流 (ID)：	32 A	最大漏源导通电阻：	0.15 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	416 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	128 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFK32N50Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

V_DSSI_D25

R_DS(on)

IXFK/IXFX 30N50Q

IXFK/IXFX 32N50Q

500 V 30 A 0.16 Ω

500 V 32 A 0.15 Ω

t ≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, LowQ_g,Highdv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

PLUS247^TM

(IXFK)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C,

30N50Q

32N50Q

30N50Q

32N50Q

120

128

TO-264AA(IXFK)

pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

I_AR

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1500

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

416

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... + 150

150

-55 ... + 150

°C

Features

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

IXYS advanced low Q_gprocess

M_d

1.13/10

Nm/lb.in.

Low gate charge and capacitances

- easier to drive

Weight

TO-247

TO-268

- faster switching

International standard packages

Low R_{DS (on)}

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

min.

typ.

max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 uA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

500

V_GS(th)

2.5

4.5

Advantages

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

PLUS 247 package for clip or spring

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100

µA

mounting

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Note 1

32N50Q

30N50Q

0.15

0.16

Ω

High power density

98604D (06/02)

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与IXFK32N50Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK32N50Q_04	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFK32N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET
IXFK32N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFK32N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK32N80Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 800V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFK32N80Q3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK32N90P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFK32N90P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFK33N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK33N50	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:

与IXFK32N50Q相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

16
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

13
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

17
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

26

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK32N50Q

IXFK32N50Q 技术参数

IXFK32N50Q 数据手册

与IXFK32N50Q相关器件

与IXFK32N50Q相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK32N50Q

IXFK32N50Q 技术参数

IXFK32N50Q 数据手册

与IXFK32N50Q相关器件

与IXFK32N50Q相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？